半導(dǎo)體由于禁帶寬度較小，升溫時(shí)(有時(shí)還可以借助于光、電和磁效應(yīng))價(jià)電子被激發(fā)，從滿帶進(jìn)入空帶，而在滿帶形成空穴，從而可以導(dǎo)電。利用純固體晶體直接在某種勢(shì)場(chǎng)作用下導(dǎo)電(可為電子導(dǎo)電，也可為空穴導(dǎo)電)的材料為本征半導(dǎo)體。這種電子激發(fā)稱為本征激發(fā)。當(dāng)純材料中摻有極少量(例如，相對(duì)量在10^-9左右)不同價(jià)態(tài)的異核原子時(shí)，會(huì)使電導(dǎo)率發(fā)生顯著變化，即使半導(dǎo)體改性，便形成雜質(zhì)半導(dǎo)體。如在Ⅳ價(jià)的Si，Ge中摻入Ⅴ價(jià)的P、As等原子時(shí)，P、As占據(jù)了Si的結(jié)點(diǎn)位置，每個(gè)家Ⅴ價(jià)原子便以四個(gè)共價(jià)單鍵與周圍四個(gè)Si結(jié)合，過剩的一個(gè)電子與原子結(jié)合得較松散，在雜質(zhì)離子附近的晶格內(nèi)運(yùn)動(dòng)。這些電子處于較高于價(jià)帶而稍低于空帶的雜質(zhì)能帶中。它們較易被激發(fā)到空帶而形成n-型導(dǎo)電過程。這類雜質(zhì)可稱施主雜質(zhì)，雜質(zhì)能帶動(dòng)為施主能帶。這種半導(dǎo)體稱為n-型(負(fù)型)半導(dǎo)體或電子半導(dǎo)體。相應(yīng)地，如摻雜的是Ⅲ價(jià)的B等原子，B替代了Si的位置上將出現(xiàn)空穴，并在B^-附近的Si晶格內(nèi)運(yùn)動(dòng)，形成了稍高于滿帶的雜質(zhì)能帶——受主能帶，價(jià)帶電子較易激發(fā)到受主能帶上去，形成p-型(正型)導(dǎo)電過程。B等稱為受主雜質(zhì)。這種半導(dǎo)體稱為p-型半導(dǎo)體或空穴半導(dǎo)體。此外，還有很多合金和化合物半導(dǎo)體，它們是Ⅲ-Ⅴ族化合物，如Al，Ga，In與P，As，Sb等所形成的化合物。比較典型的是InSb，GaAs等，它們?cè)诩す狻⒐怆娹D(zhuǎn)換、紅外遙感等許多技術(shù)中有廣泛的應(yīng)用前景。